Pamięć RAM Kingston Fury Impact DDR5 32GB 5600MHz CL40 SO-DIMM (KF556S40IBK232)

Pamięć RAM Kingston Fury Impact DDR5 32GB 5600MHz CL40 SO-DIMM (KF556S40IBK232) - Opis

Dzięki doskonałej szybkości, Plug N Play, podwojonej liczbie banków z 16 do 32 i podwojonej z 8 do 16 długości obudowy, pamięć Kingston FURY Impact DDR5 jest idealna dla graczy i entuzjastów poszukujących wyższej wydajności na platformach nowej generacji. Większa szybkość, pojemność i niezawodność dzięki pamięci Kingston FURY Impact DDR5oferuje arsenał zaawansowanych funkcji, takich jak wbudowany układ ECC (ODECC) zapewniający większą stabilność przy ekstremalnych prędkościach, dwa 32-bitowe podkanały zwiększające wydajność oraz zintegrowany z modułem obwód zarządzania energią (PMIC), który monitoruje i dostosowuje napięcia bezpośrednio na moduł pamięci. Niezależnie od tego, czy grasz w najbardziej ekstremalnych środowiskach, przesyłasz strumieniowo w rozdzielczości 4K i wyższej, czy zajmujesz się poważną animacją i renderowaniem 3D, Kingston FURY Impact DDR5 to kolejny poziom, który zapewnia perfekcyjny styl i wydajność. Ponadto Kingston FURY Impact DDR5 posiada certyfikat Intel XMP 3.0, co oznacza, że ​​użytkownicy mogą oczekiwać łatwego, stabilnego i certyfikowanego podkręcania. Osobliwości: Szybsza wydajność: pamięć DDR5 jest o 50% szybsza niż DDR4, co zapewnia lepszą wydajność w grach, renderowaniu i wielozadaniowości. Obsługa automatycznego przetaktowywania typu Plug N Play: Kingston FURY Impact DDR5 obsługuje automatyczne przetaktowywanie do maksymalnej częstotliwości określonej w specyfikacjach. Certyfikat Intel XMP 3.0: Zwiększ wydajność pamięci dzięki wstępnie zoptymalizowanym taktowaniom, prędkościom i napięciom do przetaktowywania. Niższe zużycie energii, (...) więcej wyższa wydajność: Zmniejsz wytwarzanie ciepła i popraw wydajność systemu dzięki niskonapięciowej pamięci Impact DDR5 1,1 V. Poprawiona stabilność przetaktowywania: korekcja błędów na matrycy (On-die ECC, ODECC) pomaga zapewnić integralność danych podczas przetaktowywania pamięci w celu poprawy wydajności pamięci. mniej