Samsung 990 PRO 2TB (MZ-V9P2T0BW)

Samsung 990 PRO 2TB (MZ-V9P2T0BW) - Opis

Najwyższawydajność dzięki PCIe® 4.0. Doświadcz najdłuższej prędkości, zdolnej pokonać każdego wroga. Standardowa inteligentna kontrola temperatury zapewnia wyjątkową wydajność energetyczną bez uszczerbku dla niesamowitej prędkości i niezrównanej mocy. Twoja gra zawsze będzie na najwyższym poziomieZmaksymalizowana prędkość PCIe 4.0Prawdziwywzrost prędkości. Zwiększa losowe prędkości odczytu/zapisu o ponad 40%' i 55%' w porównaniu do 980 PRO - do 1400K/1550K IOPS, podczas gdy sekwencyjne prędkości odczytu/zapisu przyspieszają do 7450/6900 MB/s dla niemal szczytowej wydajności PCIe® 4.0. Uzyskaj wszystko: gry, edycję 3D i wideo oraz analizę danych na wysokim poziomie. Przełamujegranice efektywności energetycznejOdkryjwydajność, która jest również wydajna. Wyższa wydajność często wiąże się z wyższym zużyciem energii, ale 990 PRO zużywa mniej energii z wydajnością na wat lepszą o ponad 50% w porównaniu do 980 PRO. Ta konstrukcja o niskim poborze mocy umożliwia maksymalną wydajność PCIe® 4.0, nawet przy optymalnej wydajności energetycznej.Inteligentne rozwiązanie temperaturowePozaciepłem jest szybkość. Pokryte niklem pokrętło i innowacyjny algorytm kontroli termicznej zarządzają temperaturą, zapewniając niesamowitą wydajność. Etykieta rozpraszająca ciepło kontroluje temperaturę chipu NAND, podczas gdy Dynamic Thermal Guard utrzymuje optymalną temperaturę.Stworzony, by wygrywaćZapewnijsobie najlepsze możliwe wrażenia w grach. Losowa poprawa wydajności o ponad 55% umożliwia szybsze ładowanie danych. Zapewnia to niezrównany realizm w grach na PS5 i DirectStorage (...) więcej PC.OprogramowanieSamsung MagicianUwolnijpełną moc 990 PRO. Prostota różnorodnych narzędzi optymalizacyjnych oprogramowania Samsung Magician zawsze zapewnia najlepszą wydajność dysku SSD. Chroń swoje dane, pobieraj aktualizacje, monitoruj stan urządzenia i konfiguruj schematy kolorów LED według własnych upodobań za pomocą osobistego zestawu narzędzi SSD.Pamięć flash nr 1 na świecieNajwyższąwydajność i niezawodność można uzyskać tylko od marki pamięci flash nr 1 na świecie od 2003 roku. Wszystkie komponenty i oprogramowanie układowe są produkowane we własnym zakresie, w tym światowej sławy DRAM i NAND, aby zapewnić kompleksową jakość od początku do końca, której można zaufać. SpecyfikacjaSpecyfikacje ogólneZastosowanieKomputery klienckie, konsole do gierPojemność2,000GB (1GB=1 miliard bajtów wg IDEMA) * Rzeczywista pojemność użytkowa może być być mniejsza (ze względu na formatowanie, partycjonowanie, system operacyjny, aplikacji lub w inny sposób)FormatM.2 (2280)InterfejsPCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0Wymiary80 x 22 x 2,3 mmWagaWaga maks. 9,0 gPamięć masowaSamsung V-NAND 3-bit MLCKontrolerWewnętrzny kontroler SamsungPamięć podręcznaSamsung 2 GB pamięci DDR4 SDRAM o niskim poborze mocyFunkcje specjalneObsługa TRIMObsługiwaneObsługa funkcji S.M.A.R.TObsługiwaneGC (Garbage Collection)Algorytm automatycznego odśmiecaniaSzyfrowanie256-bitowe szyfrowanie AES (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)WWNNieobsługiwaneObsługa trybu uśpienia na urządzeniuTakWydajnośćOdczyt sekwencyjnyDo 7 450 MB/s * Wydajność może się różnić w zależności od sprzętu i konfiguracji systemuZapis sekwencyjnyDo 6900 MB/s * Wydajność może się różnić w zależności od sprzętu i konfiguracji systemuOdczyt losowy (4KB, QD32)Do 1 400 000 IOPS * Wydajność może się różnić w zależności od sprzętu i konfiguracji systemuLosowy zapis (4KB, QD32)Do 1 550 000 IOPS * Wydajność może się różnić w zależności od sprzętu i konfiguracji systemuOdczyt losowy (4KB, QD1)Do 22 000 IOPS * Wydajność może się różnić w zależności od sprzętu i konfiguracji systemuLosowy zapis (4KB, QD1)Do 80 000 IOPS * Wydajność może się różnić w zależności od sprzętu i konfiguracji systemuŚrodowiskoŚredni pobór mocy*Średni: 5,5 W*Maksymalny: 8,5 W (tryb Burst)* Rzeczywisty pobór mocy może się różnić w zależności od sprzętu i konfiguracji systemuPobór mocy (bezczynność)Maks. 55 mW * Rzeczywisty pobór mocy może się różnić w zależności od sprzętu i konfiguracji systemuObsługiwane napięcie3.3 V ± 5 % Dopuszczalne napięcieTrwałość (MTBF)1.5 milionów godzin Niezawodność (MTBF)Temperatura pracy0 - 70 ℃ Temperatura pracyWstrząsy1 500 G i 0,5 ms (pół sinusa)AkcesoriaZestaw instalacyjnyNiedostępneOprogramowanieOprogramowanie do zarządzaniaOprogramowanie Magician do zarządzania dyskami SSD Dysk Ssd Samsung 990 Pro Pcle 4.0 Nvme M.2 2TbSAMSUNG ➡️ Elektronika/Komputery/Dyski i pamięci przenośne/Dyski SSD ✔️ Cechy zabiezpieczeń: Odporność na wysoką temperaturę EAN: 8806094215038 Głębokość produktu: 2,3 mm Interfejs: PCI Express 4.0 Kod Producenta: MZ-V9P2T0BW Losowy odczyt (4KB): 1400000 IOPS Losowy zapis (4KB): 1550000 IOPS Maksymalna temperatura eks-oatacji: 70 °C MTBF (Średni okres międzyawaryjny): 1500000 h Napięcie pracy: 3,3 V NVMe: Tak NVMe wersja: 2.0 Obsługa DevSlp (uśpienia urządzenia): Tak Obsługa S.M.A.R.T.: Tak Pobór mocy (bezczynny): 0,055 W Pojemność pamięci SSD: 2000 GB Prędkość odczytu z nośnika: 7450 MB/s Prędkość zapisu nośnika: 6900 MB/s Przeznaczenie: PC Rodzaj opakowania: Pudełko Średnie zużycie mocy: 5,5 W Szerokość produktu: 80 mm Szyfrowanie / bezpieczeństwo: 256-bit AES Szyfrowanie sprzętu: Tak Typ dysku SSD: M.2 Typ pamięci: V-NAND MLC Waga produktu: 9 g Wsparcie TRIM: Tak Wstrząsy podczas pracy: 1500 G Wysokość produktu: 22 mm Zakres temperatur (eks-oatacja): 0 - 70 °C Łącze PCI Express: x4 ➡️Produkt fabrycznie nowy.✔️ Interfejs: PCI Express 4.0Rodzaj opakowania: PudełkoTyp pamięci: V-NAND MLCEAN: 8806094215038Kod Producenta: MZ-V9P2T0BWWaga produktu: 9 gPrzeznaczenie: PCNapięcie pracy: 3,3 VSzerokość produktu: 80 mmWysokość produktu: 22 mmGłębokość produktu: 2,3 mmZakres temperatur (eksploatacja): 0 - 70 °CMaksymalna temperatura eksploatacji: 70 °CCechy zabiezpieczeń: Odporność na wysoką temperaturęMTBF (Średni okres międzyawaryjny): 1500000 hSzyfrowanie / bezpieczeństwo: 256-bit AESPobór mocy (bezczynny): 0,055 WWstrząsy podczas pracy: 1500 GLosowy odczyt (4KB): 1400000 IOPSLosowy zapis (4KB): 1550000 IOPSNVMe: TakPojemność pamięci SSD: 2000 GBPrędkość odczytu z nośnika: 7450 MB/sPrędkość zapisu nośnika: 6900 MB/sSzyfrowanie sprzętu: TakŚrednie zużycie mocy: 5,5 WNVMe wersja: 2.0Łącze PCI Express: x4Obsługa DevSlp (uśpienia urządzenia): TakWsparcie TRIM: TakObsługa S.M.A.R.T.: TakTyp dysku SSD: M.2Informacja o gwarancji 1: Dodatkowe informacje. Dysk Ssd Samsung 990 Pro Pcle 4.0 Nvme M.2 2Tb SAMSUNG Numer: 8806094215038, ACT-DIASA1SSD0073. Ilośc dzni do wysyłki:3. Waga: 0.08 kg.➡️ Dysk Ssd Samsung 990 Pro Pcle 4.0 Nvme M.2 2Tb to synonim najwyższej jakości i niezawodności, stworzony z myślą o wymagających użytkownikach.➡️ Nowoczesne rozwiązania i precyzja wykonania sprawiają, że produkt wyróżnia się na tle konkurencji.➡️ Każdy detal został starannie zaprojektowany, by zapewnić maksymalną wygodę i trwałość.➡️ Wybierając Dysk Ssd Samsung 990 Pro Pcle 4.0 Nvme M.2 2Tb, stawiasz na sprawdzone rozwiązanie, które sprosta Twoim oczekiwaniom Witamy w świecie wysokiej wydajności dzięki Samsung SSD 990 PRO 2TB NVMe,dyskowi półprzewodnikowemu, który na nowo definiuje standardy szybkości i niezawodności. BestDigit z dumą prezentuje ten technologiczny klejnot, zaprojektowany z myślą o najbardziej wymagających profesjonalistach i entuzjastach gier.Samsung 990 PRO w pełni wykorzystuje moc interfejsu PCIe 4.0, oferując niezwykłe prędkości odczytu do 7450 MB/s i zapisu do 6900 MB/s. Przekłada się to na błyskawiczne czasy ładowania i niespotykaną płynność w najcięższych aplikacjach.Pojemność: 2 TB miejsca na wszystkie najważniejsze daneTechnologia MLC V-NAND zapewniająca doskonałą trwałość i niezawodnośćInteligentna kontrola termiczna zapewniająca stałą wydajnośćKompatybilność z komputerami PC i laptopami wyposażonymi w gniazda M.2 NVMeNajnowsza technologia NVMe zapewnia nie tylko szybkość, ale także zoptymalizowaną efektywność energetyczną. Samsung SSD 990 PRO zużywa tylko 5,5 W podczas aktywnej pracy, minimalizując wpływ termiczny i wydłużając żywotność baterii w urządzeniach przenośnych.Dla profesjonalistów zajmujących się edycją wideo i grafiką 3D, ten wysokowydajny dysk SSD oferuje szybkość reakcji potrzebną do obsługi złożonych projektów bez spowalniania. Gracze docenią skrócony czas ładowania i płynność najbardziej szczegółowych światów gier.Bezpieczeństwo danych jest priorytetem: 990 PRO integruje 256-bitowe szyfrowanie sprzętowe AES, zapewniając maksymalną ochronę poufnych informacji. Ponadto, obsługa S.M.A.R.T. i TRIM zapewnia stałe monitorowanie stanu dysku i optymalizuje wydajność w czasie.BestDigit wie, jak ważny dla klientów jest spokój ducha. Właśnie dlatego dysk Samsung SSD 990 PRO 2TB ma MTBF (średni czas między awariami) wynoszący 1 500 000 godzin, co świadczy o długoterminowej niezawodności tego urządzenia.Nie pozwól, aby wydajność Twojego systemu była ograniczana przez przestarzały dysk. Zmodernizuj swoją konfigurację już dziś dzięki Samsung 990 PRO NVMe i poznaj prawdziwą moc pamięci masowej nowej generacji. BestDigit jest tutaj, aby poprowadzić Cię w przyszłość technologii SSD. Eksplozja prędkości dla intensywnego grania Odkryj potężną wydajność dzięki PCIe® 4.0 i doświadcz niesamowitej prędkości, aby zmierzyć się z konkurencją. Inteligentna regulacja ciepła kontrolera Samsung zapewnia wysoką efektywność energetyczną przy niezmiennie wysokiej prędkości i wydajności. Nic więc nie stoi na przeszkodzie, aby cieszyć się grą. PCIe® z dużą prędkością 990 PRO oferuje sekwencyjne prędkości odczytu/zapisu do 7450 / 6900 MB/s. To prawie teoretyczne maksimum. Jest to prawie teoretyczne maksimum standardu PCIe® 4.0. Jest o 40% i 55% szybszy niż model 980 PRO i osiąga do 1400 tys. / 1550 tys. operacji wejścia/wyjścia na sekundę. Model 4 TB osiąga nawet 1600 tys. IOPS. Przełomowa efektywność energetyczna Wyższa wydajność często zużywa więcej energii. Nie w przypadku 990 PRO. Doświadcz niskiego zużycia energii z ponad 50% lepszą wydajnością na wat niż jego poprzednik. Inteligentne chłodzenie Pokryty niklem kontroler i najnowocześniejszy algorytm kontroli termicznej regulują ciepło, zapewniając nieograniczoną wydajność. Etykieta rozpraszająca ciepło kontroluje ciepło układu NAND, podczas gdy technologia Dynamic Thermal Guard reguluje temperaturę. Obudź w sobie profesjonalnego gracza Idź na całość po zwycięstwo z 990 PRO. Model o pojemności 4 TB zapewnia prędkość odczytu losowego do 1600 tys. operacji wejścia/wyjścia na sekundę. Ciesz się krótkimi czasami ładowania na komputerze PC lub Playstation 5 i pozwól, aby dysk SSD wniósł powiew świeżości do Twoich gier. Oprogramowanie Samsung Magician Zaawansowane zarządzanie dyskami stało się łatwe - dzięki oprogramowaniu Samsung Magician. To przyjazne dla użytkownika oprogramowanie pomaga zawsze mieć oko na dysk SSD. Umożliwia aktualizację dysku, monitorowanie parametrów stanu i prędkości, a nawet optymalizację wydajności. Zaleca się, aby zawsze aktualizować oprogramowanie sprzętowe dysków SSD Samsung do najnowszej wersji. Cechy Interfejs : PCI Express 4 0 Obsługiwane algorytmy zabezpieczeń : 256-bitowy AES Średni czas między awariami (MTBF) : 1500000 h Typ pamięci : V-NAND MLC Prędkość odczytu : 7450 MB/s Prędkość zapisu : 6900 MB/s Pojemność dysku SSD : 2000 GB S.M.A.R.T. Obsługa : Tak Funkcja ochrony : Odporny na ciepło Obsługa TRIM : Tak Losowy zapis (4KB) : 1550000 IOPS Losowy odczyt (4KB) : 1400000 IOPS Komponent do : PC Szyfrowanie sprzętowe : Tak Interfejs PCI Express Tory danych : x4 Format dysku SSD : M 2 NVMe : Tak Wersja NVMe : 2 0 Obsługa DevSlp (Device Sleep) : TakZasilanie Napięcie robocze : 3,3 V Pobór mocy (w stanie spoczynku) : 0,055 W Pobór mocy (średnio) : 5,5 W ) : 5,5 WWarunkipracy Temperatura pracy : 0 - 70 °C Odporność na wstrząsy (podczas pracy) : 1500 G Maksymalna temperatura pracy : 70 °CWaga i wymiary Waga : 9 g Wysokość : 22 mm Szerokość : 80 mm Głębokość : 2,3 mmOpakowanie Typ opakowania : Pudełko SSD M.2 2TB Samsung 2 TB M.2 PCIe Samsung 990 PRO. Pojemność dysku SSD: 2000 GB, format dysku SSD: M.2, prędkość odczytu: 7450 MB/s, prędkość zapisu: 6900 MB/s, komponent do: PC SSD M.2 2TB Samsung 990 PRO NVMe PCIe 4.0 x 4 detaliczne 2 TB, M.2, PCIe 4.0 x4, NVMe 2.0, V-NAND MLC Cechy Współczynnik kształtu SSD: M.2 Pojemność dysku SSD: 2000 GB Interfejs: PCI Express 4.0 Typ pamięci masowej: V-NAND MLC NVMe: Tak Komponent do: PC Szyfrowanie sprzętowe: Tak Wersja NVMe: 2.0 Obsługiwane algorytmy zabezpieczeń: 256-bitowy AES Prędkość odczytu: 7450 MB/s Prędkość zapisu: 6900 MB/s Odczyt losowy (4KB): 1400000 IOPS Zapis losowy (4KB): 1550000 IOPS Pasy danych interfejsu PCI Express: x4 Obsługa DevSlp (uśpienie urządzenia): Tak Obsługa S.M.A.R.T. Obsługa: Tak Obsługa TRIM: Tak Średni czas między awariami (MTBF): 1500000 h Ochrona: Odporny na ciepło Wydajność Napięcie robocze: 3,3 V Pobór mocy (średnio): 5,5 W ): 5,5 W Zużycie energii (bezczynność): 0,055 W Warunki pracy Temperatura pracy: 0 - 70 °C Maksymalna temperatura pracy: 70 °C Odporność na wstrząsy (podczas pracy): 1500 G Waga i wymiary Szerokość: 80 mm Głębokość: 2,3 mm Wysokość: 22 mm Waga: 9 g Dane opakowania Typ opakowania: Pudełko Rozmiar kieszeni dysku SSDM.2Pojemność pamięci SSD2000 GBStandardowe rozwiązania komunikacyjnePCI Express 4.0Typ pamięciV-NAND MLCNVMeTakPrzeznaczeniePCSzyfrowanie sprzętuTakNVMe wersja2.0Szyfrowanie / bezpieczeństwo256-bit AESPrędkość odczytu z nośnika7450 MB/sPrędkość zapisu nośnika6900 MB/sLosowy odczyt (4KB)1400000 IOPSLosowy zapis (4KB)1550000 IOPSŁącze PCI Expressx4Obsługa DevSlp (uśpienia urządzenia)TakObsługa S.M.A.R.T.TakWsparcie TRIMTakMTBF (Średni okres międzyawaryjny)1500000 hCechy zabiezpieczeńOdporność na wysoką temperaturęNapięcie pracy3,3 VŚrednie zużycie mocy5,5 WPobór mocy (bezczynny)0,055 WZakres temperatur (eksploatacja)0 - 70 °CMaksymalna temperatura eksploatacji70 °CWstrząsy podczas pracy1500 GSzerokość produktu80 mmGłębokość produktu2,3 mmWysokość produktu22 mmWaga produktu9 gRodzaj opakowaniaPudełko OgólneTyp urządzeniaDysk półprzewodnikowy - wewnętrznyPojemność2 TBSzyfrowanie sprzętoweTakAlgorytm szyfrowania256-bitowy AESTyp pamięci flash NANDTLC (Triple-Level Cell)Współczynnik kształtuM.2 2280Typ interfejsuPCIe 4.0 x4 (NVMe)CechyTechnologia Samsung V-NAND 3bit MLC, 2 GB pamięci podręcznej LPDDR4 DRAM, obsługa TRIM, algorytm automatycznego zbierania śmieci, dynamiczna ochrona termiczna, tryb uśpienia, NVMe 2.0, S.M.A.R.T.Szerokość22 mmGłębokośćgłębokość 80 mmWysokość2.3 mmWaga9 gWydajnośćWydajność dysku SSD1200 TBSzybkość transferu dysku8 GBps (zewnętrzny)Wewnętrzna przepustowość danych7450 MBps (odczyt)/ 6900 MBps (zapis)odczyt losowy 4 KB1400000 IOPS4 KB losowego zapisu1550000 IOPSNiezawodnośćMTBF1 500 000 godzinRozbudowa i łącznośćKompatybilny panel przełącznikówM.2 2280ZasilaniePobór mocy5. 8 W (odczyt) 5,1 W (zapis) 55 mW (bezczynność) 5 mW (tryb L1.2)Oprogramowanie i wymagania systemoweDołączone oprogramowanieOprogramowanie Samsung MagicianInneOznaczeniaIEEE 1667, FCC, UKCA, cRUus, VCCI, EACSzczegóły dotyczące opakowaniaPudełkoSerwis i wsparcieWarunki środowiskoweMinimalna temperatura pracy0 °CMaks. Maks. temperatura pracy70 °CMin. temperatura przechowywania-40 °CMaks. Temperatura przechowywania85 °CDopuszczalna wilgotność podczas pracy5 - 95 % (bez kondensacji)Tolerancja na wstrząsy (nie podczas pracy)1500 g przy 0,5 msTolerancja na wibracje (nie podczas pracy)20 g @ 20-2000 Hz Samsung 990 PRO M.2 2000 GB PCIe 4.0 V-NAND MLC NVMe, MZ-V9P2T0BW Samsung W127158676 1230837636 1149. 2 2000 GB PCIe 4.0 V-NAND MLC NVMe, MZ-V9P2T0BW Producent: SamsungKraj pochodzenia: KREAN: 8806094215038Kod producenta: MZ-V9P2T0BW 8806094215038 8 2.2 0.23 0.01 SAMSUNG 990 PRO M.2 2000 GB PCIE 4.0 V-NAND MLC NVME, MZ-V9P2T0BW Dane techniczne:Konstrukcja modułu półprzewodnikowego (SSM)Współczynnik kształtu M.2 2280Interfejs M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)Odczyt 7450 MB/sZapis 6900 MB/s SLC-CachedIOPS 4K odczyt/zapis 1400k/1550kModuły pamięci 3D-NAND TLC, Samsung, 176 warstw (V-NAND v7)TBW 1,2PBPrognozowana niezawodność 1,5 miliona godzin (MTBF)Kontroler Samsung PascalPamięć podręczna 2 GB (LPDDR4), pamięć podręczna SLCProtokół NVMe 2.0Funkcje ochrony danych 256-bitowy AES, TCG Opal 2.0Pobór mocy 8,5W (maksimum), 5,5W (praca), 0,055W (bezczynność), 0,005W (tryb uśpienia)Wymiary 80x22x2.3mmCechy szczególne L1.2 tryb gotowości o niskim poborze mocyZakres dostawy:wewnętrzny dysk twardy M.2 SSD (w opakowaniu zbiorczym) Samsung 990 PRO 2 TB SSD - Wewnętrzny dysk twardyUzyskaj więcej ze swojego szybkiego komputera dzięki dyskowi Samsung SSD 990 PRO. Jest łatwy w obsłudze i oferuje graczom, grafikom, producentom wideo i każdemu, kto ma wysokie wymagania wobec swojego sprzętu, wysoką wydajność, imponującą przepustowość i wysokie wskaźniki przepustowości. Interfejs PCIe NVMe czwartej generacji - w połączeniu ze specjalnie opracowanym przez firmę Samsung kontrolerem - umożliwia dwukrotnie szybszy transfer danych w porównaniu do dysków SSD z poprzednią wersją PCIe 3.0. Dysk SSD jest nie tylko szybki, ale i wytrzymały. Dysk SSD 990 Pro firmy Samsung ma pojemność 2 TB. Ten dysk SSD M.2 ma prędkość odczytu 7450 MB/s i prędkość zapisu 6900 MB/s. Dysk SSD jest również wyposażony w obudowę M.2 (2280) z interfejsem PCIe Gen 4.0 x4, NVME 2.0. Pojemność: 2 TBPrędkość odczytu: 7450 MB/sPrędkość zapisu: 6900 MB/sTyp konstrukcji: M.2 (2280)Interfejs: PCIe Gen 4.0 X4, NVME 2.0Technologia: Samsung V7 V-NAND 3-bit MLCOdpowiedni do: Zaawansowane gry, edycja wideo 4K i 3D Cechy Funkcje bezpieczeństwa:Odporny na wysokątemperaturęAlgorytmybezpieczeństwa:256-bitowy AESSupportSMART:TakPrędkość zapisu:6900 MB/sŚredniczas między awariami (MTBF):1500000 hObsługaDevSlp (Device Sleep):TakInterfejs PCI ExpressPasy danych: x4Pojemność dysku: 2 TBSFormat dysku: M.2Obsługa TRIM:TakPrędkośćodczytu:7450MB/sWersjaNVMe: 2.0Interfejs:PCI Express 4.0Komponentdla:PCNVMe:TakReadRandomRead(4KB):1400000IOPSHardwareEncryption:TakTyppamięci:V-NAND MLCRead RandomWrite (4KB):1550000 IOPS Wydajność Napięcie robocze:3,3 VPobór mocy (średni):5,5 WPobór mocy (bezczynność):0,055 W Warunki pracy Maksymalna temperatura pracy:70 °CTemperatura pracy (TT):0 - 70 °CWstrząsy podczas pracy:1500 G Waga i wymiary Szerokość: 80 mmGłębokość: 2,3 mmWaga: 9 g Wysokość: 22 mm Szczegóły opakowania Typ opakowania: pudełko 2 TB Samsung 990 Pro Solid State Drive (SSD) MZ-V9P2T0BW Konstrukcja: M.2 22x80 mm, Prędkość odczytu: 7450 MB/s, Prędkość zapisu: 6900 MB/s, Interfejs: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 1.3 (wstecznie kompatybilny z Gen3 x2, Gen3 x1, Gen2 x4, Gen2 x2, Gen2 x1) Wydajność SSD TBW: 1200 TB Długie czasy ładowania należą już do przeszłości dzięki najnowszej technologii PCIe Gen4. Doświadcz niesamowitych prędkości do 7000 MB/s. Krótkie czasy dostępu, niskie zużycie energii, a tym samym dłuższa żywotność baterii w zastosowaniach mobilnych, cicha praca, brak zużycia mechanicznego, wyjątkowo odporny na wstrząsy i wibracje, Długość: 80,2 mm, Szerokość: 22,1 mm, Wysokość: 2,38 mm, Waga: 9 gSpecyfikacja :Technologia dysku twardego: SSDPojemność pamięci masowej: 2048 GB/ 2 TBInterfejs: PCIe Gen4.0 x4, NVMe 1.3 M.2Dostęp sekwencyjny do odczytu (do): 7450 MB/sDostęp sekwencyjny do zapisu (do): 6900 MB/sRozmiar/format: M.2 22x80 mmWymiary: 80,2 x 22,1 x 2,4 mmWaga: 0,009 kgZakres dostawy: 1 dysk twardyGTIN (EAN): 8806094215038 Ultraszybki dysk SSD PCIe® 4.0 NVMe™ do gier konsolowych, komputerów stacjonarnych, grafiki o wysokiej rozdzielczości i innych wysokich wymagań sprzętowych Kompatybilny z PlayStation® 5 (prędkość odczytu do 7450 MB/s, prędkość zapisu do 6900 MB/s) Obsługuje bezpośrednią pamięć masową w systemie Windows 11 (DirectStorage) Specyfikacja produktu:Pojemność: 2 TBRozmiar: M.2Interfejs: PCI Express 4.0Nr producenta:MZ-V9P2T0BW Zapieczętowany nowy towar od sprzedawcy wystawiona na Twoje nazwisko BLITZ za pośrednictwem DHL FunkcjeSzyfrowanie sprzętoweTakObsługa TRIMTakTyp pamięciV-NAND MLCNVMeTakObsługa DevSlp (uśpienie urządzenia)TakObsługa technologii SMARTTakWersja NVMe2.0Liczba linii interfejsu PCI Expressx4Pojemność dysku SSD2 TBPrędkość odczytu7450 MB/sFormat dysku SSDM.2Komponent doPCSzyfrowanie/bezpieczeństwo256-bitowy AESInterfejsPCI Express 4.0Prędkość zapisu6900 MB/sZapis losowy (4 KB)1550000 IOPSOdczyt losowy (4 KB)1400000 IOPSŚredni czas między awariami (MTBF)1500000 hFunkcje ochronneOdporność na ciepłoZasilaniePobór mocy (średni)5,5 WPobór mocy (w spoczynku)0,055 WNapięcie robocze3,3 VWaga i wymiarySzerokość80 mmGłębokość2,3 mmWysokość22 mmWaga9 gSzczegóły dotyczące opakowaniaTyp opakowaniaPudełkoWarunki pracyMaksymalna temperatura pracy70 °CZakres temperatur pracy (T-T)0 - 70 °CUderzenie podczas pracy1500 G SAMSUNG 990 PRO SSD 2 TB M.2 NVMe PCIe 4.0 arkusze danych div div.datasheet div.productName div.datasheet td.value div.datasheet table.head td div.datasheet table.head td.image div.datasheet table.head td.name, div.datasheet table.head td.value div.datasheet tabela.właściwości div.datasheet tabela.właściwości nazwa.td sekcjaHead div.datasheet tr.sectionHead td alt-1 div.datasheet tr.marketingText td div.datasheet tr.featuresText ul div.datasheet tr.featuresText li div.datasheet tr.marketingText.sectionHead div.datasheet td.name, div.datasheet td.value div.zastrzeżenie div.wyłączenie odpowiedzialności div div.disclaimer a div.disclaimer a:hover kod.rozpiętości SAMSUNG 990 PRO SSD 2 TB M.2 NVMe PCIe 4.0 Producent SAMSUNG Nr części producenta MZ-V9P2T0BW Całkowity Typ urządzenia Dysk SSD - wewnętrzny Pojemność 2 TB Szyfrowanie sprzętowe Więc Algorytm szyfrowania 256-bitowy AES Typ pamięci NAND Flash Komórka potrójnego poziomu (TLC) Współczynnik kształtu M.2 2280 Interfejs PCIe 4.0 x4 (NVMe) Funkcje Obsługa TRIM, tryb uśpienia, algorytm automatycznego zbierania śmieci, dynamiczna ochrona termiczna, technologia Samsung V-NAND 3bit MLC, pamięć podręczna 2 GB LPDDR4 DRAM, S.M.A.R.T., NVMe 2.0 Szerokość 22 mm Głębokość 80 mm Wysokość 2,3 mm Waga 9 gr Praca Wytrzymałość SSD 1200 TB Szybkość transferu dysku 8 GB/s (zewnętrzne) Wewnętrzna szybkość transmisji danych 7450 MB/s (odczyt) / 6900 MB/s (zapis) Losowy odczyt 4 KB 1400000 IOPS Losowy zapis 4 KB 1550000 IOPS Niezawodność MTBF 1 500 000 godzin Rozszerzenie i łączność Kompatybilna zatoka M.2 2280 Zasilanie Zużycie energii 5,8 W (odczyt) 5,1 W (zapis) 55 mW (bezczynność) 5 mW (tryb L1.2) Wymagania dotyczące oprogramowania i systemu Oprogramowanie w zestawie Oprogramowanie Samsung Magician Różny Odpowiednie standardy VCCI, FCC, EAC, cRUus, IEEE 1667, UKCA Szczegóły opakowania Koszyk Serwis i wsparcie Parametry środowiskowe Minimalna temperatura robocza 0°C Maksymalna temperatura robocza 70°C Minimalna temperatura przechowywania -40°C Maksymalna temperatura przechowywania 85°C Dystans wilgotności roboczej 5 - 95% (bez kondensacji) Tolerancja uderzenia (nie działa) 1500 g @ 0,5 ms Tolerancja na wibracje (w stanie spoczynku) 20 g przy 20-2000 Hz Dane techniczne są dostarczane przez stronę trzecią. Nie ponosimy żadnej odpowiedzialności za błędy w tych danych. Odkryj potężną wydajność dzięki PCIe® 4.0 i doświadcz niesamowitej prędkości, aby pokonać konkurencję. Inteligentna regulacja ciepła kontrolera Samsung zapewnia wysoką efektywność energetyczną przy niezmiennie wysokiej prędkości i wydajności. Nic więc nie stoi na przeszkodzie, aby cieszyć się grą. Dane techniczne: - Format dysku SSD: M.2 - Pojemność dysku SSD: 2 TB - Interfejs: PCI Express 4.0 - Typ pamięci: V-NAND MLC - NVMe: Tak - Komponent do: PC - Szyfrowanie sprzętowe: Tak - Wersja NVMe: 2.0 - Obsługiwane algorytmy zabezpieczeń: 256-bitowy AES - Prędkość odczytu: 7450 MB/s - Prędkość zapisu: 6900 MB/s - Odczyt losowy (4KB): 1400000 IOPS - Zapis losowy (4KB): 1550000 IOPS - Pasy danych interfejsu PCI Express: x4 - Obsługa DevSlp (uśpienia urządzenia): Tak - S.M.A.R.T. Obsługa: Tak - Obsługa TRIM: Tak - Średni czas między awariami (MTBF): 1500000 h - Ochrona: Odporny na ciepło - Napięcie robocze: 3,3 V - Pobór mocy (średnio): 5,5 W - Pobór mocy (bezczynność): 0,055 W - Temperatura robocza: 0 - 70 °C - Maksymalna temperatura robocza: 70 °C - Odporność na wstrząsy (podczas pracy): 1500 G - Szerokość: 80 mm - Głębokość: 2,3 mm - Wysokość: 22 mm - Waga: 9 g Cechy | Wersja NVMe: 2.0 | Obsługiwane algorytmy bezpieczeństwa: 256-bitowy AES | Pojemność dysku SSD: 2 TB | Format dysku SSD: M.2 | Interfejs: PCI Express 4.0 | Cecha: NVMe | Typ pamięci masowej: V-NAND MLC | Komponent do komputera | Prędkość odczytu: 7450 MB/s | Prędkość zapisu: 6900 MB/s | Losowy odczyt (4KB): 1550000 IOPS | Losowy zapis (4KB): 1400000 IOPS | PC | Cecha: Szyfrowanie sprzętowe | Prędkość odczytu: 7450 MB/s | Prędkość zapisu: 6900 MB/s | Losowy odczyt (4KB): 1400000 IOPS | Losowy zapis (4KB): 1550000 IOPS | Pasy danych interfejsu PCI Express: x4 | Cecha: Obsługa DevSlp (uśpienie urządzenia) | Cecha: S.Obsługa M.A.R.T. | Funkcja: Obsługa TRIM | Średni czas między awariami (MTBF): 1500000 h | Ochrona: Odporny na ciepło | Zasilanie | Napięcie robocze: 3.3 V | Pobór mocy (średni): 5,5 W | Pobór mocy (w stanie spoczynku): 0,055 W | Waga i wymiary | Szerokość: 80 mm | Głębokość: 2,3 mm | Wysokość: 22 mm | Waga: 9 g | Dane opakowania | Typ opakowania: Pudełko | Warunki pracy | Temperatura pracy: 0 - 70 °C | Maksymalna temperatura pracy: 70 °C | Odporność na uderzenia podczas pracy: 1500 G | Osiągnij maksymalną wydajność PCIe 4.0. Doświadcz długotrwałej, skoncentrowanej na przeciwniku prędkości. Inteligentna regulacja termiczna wewnętrznego kontrolera zapewnia maksymalną efektywność energetyczną przy niezmiennie wysokiej prędkości i wydajności, dzięki czemu możesz pozostać na szczycie swojej gry. Dane techniczne Producent Samsung Pojemność 2 TB (odpowiada ok. 1862,65 GB lub 1,82 TB, więcej informacji) Konstrukcja Moduł półprzewodnikowy (SSM) Współczynnik kształtu M.2 2280 Interfejs M.2/?M-Key (PCIe 4.0 x4) Odczyt 7450MB/?s Zapis 6900MB/s SLC-Cached IOPS 4K 1400k odczytu, 1550k zapisu Moduły pamięci 3D-NAND TLC, Samsung, 176 warstw (V-NAND v7) TBW 1,2PB Prognoza niezawodności 1,5 miliona godzin (MTBF) Kontroler Samsung Pascal Cache 2GB (LPDDR4), SLC-Cache Protokół NVMe 2.0 Funkcje ochrony danych 256-bitowy AES, TCG Opal 2.0 Pobór mocy 8,5 W (maks.), 5,5 W (praca), 55 mW (bezczynność), 5 mW (tryb uśpienia) Wymiary 80 x 22 x 2,3 mm (bez radiatora) Funkcje specjalne Tryb gotowości L1.2 o niskim poborze mocy Uzyskaj maksymalną wydajność dzięki PCIe 4.0 i doświadcz ultrastabilnego transferu plików i pamięci masowej przy najwyższych prędkościach. Zaawansowana kontrola temperatury kontrolera zapewnia niezwykłą wydajność przy jednoczesnym utrzymaniu wysokich prędkości odczytu i zapisu, zapewniając maksymalną przyjemność z pracy i grania. Samsung 990 PRO. Pojemność dysku SSD: 2 TB, format dysku SSD: M.2, prędkość odczytu: 7450 MB/s, prędkość zapisu: 6900 MB/s, komponent do: PC Odkryj potężną wydajność dzięki PCIe 4.0 i doświadcz niesamowitych prędkości, aby pokonać konkurencję. Kontroler termoregulacyjny firmy Samsung zapewnia wysoką efektywność energetyczną przy zachowaniu maksymalnej wydajności i wysokich prędkości. Samsung 990 PRO SSD 2TB M.2 PCIe Gen4 NVMe Wewnętrzny moduł półprzewodnikowy Więcej informacji można znaleźć na stronie producenta! Jeśli jesteś pasjonatem informatyki i elektroniki, lubisz być na bieżąco z technologią i nie umykają Ci nawet najmniejsze szczegóły, kupDysk twardy Samsung 990 PRO 2 TB SSD w bezkonkurencyjnej cenie. Typ: SSD V-NAND MLC Złącza: PCIe M.2 PCI Express 4.0 Prędkość: 6900 MB/s 7450 MB/s Dysk twardy: 2 TB SSD Kolor: Czarny Kompatybilność: SSD NVMe PC Zabezpieczenia: AES 256-bit Zakres temperatur pracy: 0º / 70º Napięcie: 3,3 V mniej